单 FET，MOSFET

结果 : 18
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）130mA（Ta）196mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）265mA（Ta）300mA（Ta）350mA（Ta）400mA（Ta）500mA（Ta）2.8A（Ta）3.6A（Ta）3.8A（Ta）5.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26.5 毫欧 @ 5.7A，10V54 毫欧 @ 3.6A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V1.8 欧姆 @ 220mA，10V2 欧姆 @ 50mA，5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V2.5 欧姆 @ 160mA，10V2.8 欧姆 @ 200mA，10V2.8 欧姆 @ 250mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 1mA（最小）1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4 nC @ 4.5 V0.49 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 10 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 5 V2.4 nC @ 10 V2.8 nC @ 10 V3 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20.2 pF @ 30 V23.2 pF @ 25 V25 pF @ 10 V27 pF @ 25 V28.5 pF @ 30 V30.3 pF @ 25 V40 pF @ 10 V45 pF @ 25 V46 pF @ 25 V50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V70 pF @ 48 V130 pF @ 10 V563 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）300mW（Ta）310mW（Ta）347mW（Ta）350mW（Ta）370mW（Ta）417mW（Ta）440mW（Ta）600mW（Ta），920mW（Tc）660mW（Ta）1.08W（Ta）1.25W（Ta）1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323SST3TO-236AB
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
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/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
419,798
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
461,033
现货
30,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32801
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
436,703
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33718
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
326,280
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50543
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
108,576
现货
546,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50863
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
222,211
现货
819,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
70,461
现货
10,890,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.42985
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
1.8V，5V
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
28.5 pF @ 30 V
-
440mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
AO3400A
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
737,360
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80150
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.7A（Ta）
2.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5.7A，10V
1.5V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±12V
630 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
102,805
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98625
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138Q-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
8,904
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40499
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
RUC002N05T116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
578,983
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42147
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5105PT1G
MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
onsemi
355,249
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52308
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
196mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 100mA，10V
3V @ 250µA
1 nC @ 5 V
±20V
30.3 pF @ 25 V
-
347mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSN20BKR
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
160,006
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51788
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
265mA（Ta）
10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
1.4V @ 250µA
0.49 nC @ 4.5 V
±20V
20.2 pF @ 30 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN53D0L-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
64,386
现货
7,272,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50945
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
46 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH201,215
MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
19,275
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 160mA，10V
1V @ 1mA（最小）
3 nC @ 10 V
±20V
70 pF @ 48 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSN20Q-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
18,546
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62255
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
4.5V，10V
1.8 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 10 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
600mW（Ta），920mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
217,801
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2,645
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
9,000 : ¥0.42986
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
2.5V，10V
54 毫欧 @ 3.6A，10V
1.3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±12V
994 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 18

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。