单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Diotec SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
280mA(Ta)60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16.5 毫欧 @ 30A,10V5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA4V @ 250µA
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V4300 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)3.75W(Ta),150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)TO-263(D2PAK)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263 (D2Pak)
SUM60N10-17-E3
MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Vishay Siliconix
2,771
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
800 : ¥13.89114
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
6V,10V
16.5 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
2BZX84C43
2N7002
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.21634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
280mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。