单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-CoolMOS™ P7
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）101A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24毫欧 @ 42.4A，10V208 毫欧 @ 5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 2.03mA5.6V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42 nC @ 18 V164 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+22V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
398 pF @ 800 V7144 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
103W（Tc）291W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO247-3-41TO-247N
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
1,990
现货
1 : ¥82.83000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
17A（Tc）
18V
208 毫欧 @ 5A，18V
5.6V @ 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V，-4V
398 pF @ 800 V
-
103W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IPW60R024P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Infineon Technologies
374
现货
1 : ¥104.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
101A（Tc）
10V
24毫欧 @ 42.4A，10V
4V @ 2.03mA
164 nC @ 10 V
±20V
7144 pF @ 400 V
-
291W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。