单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Goford SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.4A（Ta）13.5A（Ta），56A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 20A，10V17 毫欧 @ 5A，4.5V23 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA3.3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 4.5 V62 nC @ 10 V63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2700 pF @ 10 V3142 pF @ 40 V4669 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.2W（Ta），37.5W（Tc）67.57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220FUFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5,210
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32907
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
5.4A（Ta）
1.2V，4.5V
17 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 1mA
33 nC @ 4.5 V
±6V
2700 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
TO-220F
AOTF286L
MOSFET N-CH 80V 13.5A/56A TO220
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,308
现货
1 : ¥16.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
13.5A（Ta），56A（Tc）
6V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
3.3V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
3142 pF @ 40 V
-
2.2W（Ta），37.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
G75P04F
G230P06F
MOSFET P-CH 60V 42A TO-220F
Goford Semiconductor
70
现货
1 : ¥8.05000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
42A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4669 pF @ 30 V
-
67.57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。