单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)3.7A(Ta)38A(Ta),200A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.25 毫欧 @ 38A,10V39 毫欧 @ 4.7A,4.5V3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19 nC @ 4.5 V69 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 10 V1020 pF @ 10 V6750 pF @ 13 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)750mW(Ta)2.8W(Ta),96W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
DIRECTFET™ MXSOT-23-3(TO-236)SOT-323
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MXSC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
839,003
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.41597
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
SI2323DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
55,407
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.20355
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.8V,4.5V
39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±8V
1020 pF @ 10 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6717MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Infineon Technologies
5,941
现货
1 : ¥22.90000
剪切带(CT)
4,800 : ¥10.70909
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
38A(Ta),200A(Tc)
4.5V,10V
1.25 毫欧 @ 38A,10V
2.35V @ 150µA
69 nC @ 4.5 V
±20V
6750 pF @ 13 V
-
2.8W(Ta),96W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。