单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Goford SemiconductorInfineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™ CESTripFET™ F6TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A(Tc)7.6A(Tc)60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14 毫欧 @ 6.5A,10V100 毫欧 @ 2A,10V800 毫欧 @ 1.5A,13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA(最小)1.2V @ 250µA3.5V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12.4 nC @ 10 V14.6 nC @ 30 V34 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
280 pF @ 100 V510 pF @ 30 V3525 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.7W(Tc)60W(Tc)100W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO252-2PowerFlat™(5x6)SOT-23
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerFlat™
STL60P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,497
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.55130
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 6.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
34 nC @ 4.5 V
±20V
3525 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
175°C(TJ)
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
2302
03N06
N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Goford Semiconductor
4,231
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64175
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3A(Tc)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 2A,10V
1.2V @ 250µA
14.6 nC @ 30 V
±20V
510 pF @ 30 V
-
1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
0
现货
1 : ¥6.07000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.31816
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
7.6A(Tc)
13V
800 毫欧 @ 1.5A,13V
3.5V @ 130µA
12.4 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-2
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。