单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-CoolMOS™PFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 7.8A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA4.5V @ 390µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1503 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）32W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-FPSOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC70, SOT−323, 419−04
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
57,935
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66583
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
300
现货
1 : ¥21.59000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
25A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 7.8A，10V
4.5V @ 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
32W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。