单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA（Ta）3A（Ta）3.8A（Ta）5.8A（Ta）12A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V3V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 11A，10V15 毫欧 @ 20A，10V28 毫欧 @ 5.8A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V5.2 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26.7 pF @ 25 V386 pF @ 15 V476 pF @ 10 V563 pF @ 25 V1370 pF @ 15 V2550 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）720mW（Ta）1.08W（Ta）1.5W（Ta）2.5W（Ta），62.5W（Tc）2.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252（DPAK）
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
458,245
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32432
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
180,583
现货
900,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
331,054
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
16,339
现货
1,317,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59843
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
52,266
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.50484
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-VDFN
CSD17551Q3A
MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Texas Instruments
4,838
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.24490
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 11A，10V
2.1V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±20V
1370 pF @ 15 V
-
2.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。