单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.4A（Ta），7.6A（Tc）8A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 12A，10V29 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.5 nC @ 10 V36 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
540 pF @ 15 V1295 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23(TO-236)
SI2369DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
7,213
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.4A（Ta），7.6A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 5.4A，10V
2.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2348ES-T1_BE3
MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
2,592
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77579
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。