单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
TrenchMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V55 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）30A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 30A，4.5V29 毫欧 @ 8A，10V38 毫欧 @ 5A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA2V @ 1mA2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21.6 nC @ 5 V182 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±10V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1594 pF @ 25 V2541 pF @ 25 V10900 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
8W（Tc）78W（Tc）94.9W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）LFPAK56，Power-SO8SOT-223
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-100，SOT-669TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223
BUK9832-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 12A SOT223
Nexperia USA Inc.
64,975
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.04977
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
12A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 8A，10V
2V @ 1mA
-
±10V
1594 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
16,602
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.48679
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，4.5V
1.7 毫欧 @ 30A，4.5V
1.2V @ 1mA
182 nC @ 5 V
±12V
10900 pF @ 10 V
-
78W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y38-100E,115
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,960
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.17034
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Tc）
5V，10V
38 毫欧 @ 5A，5V
2.1V @ 1mA
21.6 nC @ 5 V
±10V
2541 pF @ 25 V
-
94.9W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。