单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）9A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 100A，10V240 毫欧 @ 5A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 108µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V17.5 nC @ 10 V87 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V1239 pF @ 25 V6240 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）42W（Tc）167W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3SOT-23-3TO-252-3
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
171,529
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-2
DMP10H400SK3-13
MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Diodes Incorporated
66,660
现货
427,500
工厂
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.01687
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9A（Tc）
4.5V，10V
240 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1239 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220-3
IPP034N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Infineon Technologies
414
现货
1 : ¥23.07000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
3.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 108µA
87 nC @ 10 V
±20V
6240 pF @ 40 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。