单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Ta）3.8A（Ta）10A（Ta）30A（Tc）46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 14.4A，10V17.3 毫欧 @ 20A，10V47 毫欧 @ 3.2A，10V50 毫欧 @ 6A，4.5V243 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V18 nC @ 5 V20 nC @ 4.5 V140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
163 pF @ 50 V318 pF @ 15 V1200 pF @ 16 V1992 pF @ 25 V4710 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
950mW（Ta）2.4W（Ta）8.3W（Ta）83W（Tc）85W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）LFPAK56，Power-SO8PowerPAK® SO-8SOT-223（TO-261）SOT-23-3
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223 (TO-261)
NTF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
onsemi
36,745
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
4,000 : ¥4.55344
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
2.5V，4.5V
50 毫欧 @ 6A，4.5V
1V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±8V
1200 pF @ 16 V
-
8.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
PowerPak SO-8L
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,102
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.17799
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 14.4A，10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4710 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
ZXMN3F30FHTA
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
122,095
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24752
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
47 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
318 pF @ 15 V
-
950mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y19-55B,115
MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
44,813
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.69116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
46A（Tc）
5V
17.3 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 1mA
18 nC @ 5 V
±15V
1992 pF @ 25 V
-
85W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
FDMA86108LZ
FDMA86108LZ
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
onsemi
6,000
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.99657
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2.2A（Ta）
4.5V，10V
243 毫欧 @ 2.2A，10V
3V @ 250µA
3 nC @ 10 V
±20V
163 pF @ 50 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。