单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip Technology
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 16A，10V20 欧姆 @ 150mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
360 pF @ 25 V1960 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-243AA（SOT-89）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-243AATO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C04-029 MB
DN3545N8-G
MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Microchip Technology
33,791
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.15701
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
200mA（Ta）
0V
20 欧姆 @ 150mA，0V
-
-
±20V
360 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
TO252-3
IRFR3411TRPBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Infineon Technologies
10,973
现货
1 : ¥12.72000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.25825
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
32A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。