单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）8A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 6.1A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V33 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V1000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）2W（Ta），4.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPSOT-23
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5540
SI3483CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
81,555
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28218
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
4.5V，10V
34 毫欧 @ 6.1A，10V
3V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 15 V
-
2W（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
100,423
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.18955
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。