单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
-SIPMOS®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）6.2A（Ta）15A（Tc）160A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 80A，10V25 毫欧 @ 4A，10V200 毫欧 @ 11.3A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA2V @ 1.54mA2.5V @ 250µA3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.4 nC @ 10 V62 nC @ 10 V122 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V873 pF @ 15 V1490 pF @ 25 V10100 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）900mW（Ta）128W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
PG-TO252-3SOT-23-3TO-220SM（W）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
419,798
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
213,690
现货
5,766,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83182
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.2A（Ta）
2.5V，10V
25 毫欧 @ 4A，10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
SPD15P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Infineon Technologies
7,512
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.47716
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Tc）
4.5V，10V
200 毫欧 @ 11.3A，10V
2V @ 1.54mA
62 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 25 V
-
128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,000
现货
1 : ¥21.76000
剪切带（CT）
1,000 : ¥11.23201
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
160A（Ta）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 80A，10V
3.5V @ 1mA
122 nC @ 10 V
±20V
10100 pF @ 10 V
-
375W（Tc）
175°C
表面贴装型
TO-220SM（W）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。