单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon Technologies
系列
-G3R™OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）14A（Ta），82A（Tc）24A（Ta），40A（Tc）48A（Ta），381A（Tc）90A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V4.5V，10V6V，10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.7 毫欧 @ 50A，10V2.4 毫欧 @ 20A，10V4 毫欧 @ 50A，10V7 毫欧 @ 40A，10V36 毫欧 @ 50A，15V2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.69V @ 12mA3.8V @ 50µA3.8V @ 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.45 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V38 nC @ 10 V72 nC @ 10 V118 nC @ 10 V155 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 25 V1800 pF @ 20 V2700 pF @ 50 V3901 pF @ 800 V5300 pF @ 50 V8400 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
470mW（Ta）2.5W（Ta），139W（Tc）2.5W（Ta），75W（Tc）3W（Ta），100W（Tc）3W（Ta），188W（Tc）400W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8-FLPG-WSON-8-2TO-247-4X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN8-PowerTDFN8-PowerWDFNTO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC070N10NS5SCATMA1
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Infineon Technologies
18,202
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
4,000 : ¥10.01923
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Ta），82A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 40A，10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
8-Power TDFN
BSC040N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Infineon Technologies
44,823
现货
1 : ¥23.32000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.90477
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 95µA
72 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
304
现货
1 : ¥29.88000
剪切带（CT）
4,000 : ¥14.54636
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
48A（Ta），381A（Tc）
4.5V，10V
0.7 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
118 nC @ 10 V
±20V
8400 pF @ 20 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,599
现货
1 : ¥184.97000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
90A（Tc）
15V
36 毫欧 @ 50A，15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
X2-DFN1006-3
DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Diodes Incorporated
248,192
现货
495,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77923
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100mA（Ta）
1.5V，4V
2 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
0.45 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 25 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
TSDSON-8
BSZ024N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Infineon Technologies
89,240
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.62068
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。