单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）1.8A（Tc）11A（Tc）12A（Tc）13A（Tc）13.8A（Ta），100A（Tc）22A（Tc）23A（Tc）33A（Tc）33.5A（Tc）38A（Tc）40A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.2 毫欧 @ 100A，10V19 毫欧 @ 20A，10V25 毫欧 @ 40A，10V44 毫欧 @ 16A，10V60 毫欧 @ 16.75A，10V60 毫欧 @ 38A，10V117 毫欧 @ 14A，10V125 毫欧 @ 11A，10V200 毫欧 @ 6A，10V205 毫欧 @ 7.8A，10V500 毫欧 @ 1.1A，10V500 毫欧 @ 6.6A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 110µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V33 nC @ 10 V44 nC @ 10 V50 nC @ 10 V58 nC @ 10 V70 nC @ 10 V71 nC @ 10 V104 nC @ 10 V110 nC @ 10 V230 nC @ 10 V326 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V270 pF @ 25 V760 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1450 pF @ 25 V1500 pF @ 25 V1720 pF @ 50 V1960 pF @ 25 V2780 pF @ 25 V2910 pF @ 25 V3380 pF @ 25 V7400 pF @ 50 V11100 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）2W（Ta），3.1W（Tc）3W（Ta），125W（Tc）3.1W（Ta），110W（Tc）3.1W（Ta），170W（Tc）3.75W（Ta），125W（Tc）3.75W（Ta），155W（Tc）13.6W（Ta），375W（Tc）57W（Tc）66W（Tc）130W（Tc）136W（Tc）156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKPG-TDSON-8-1SOT-223SOT-23-3TO-252TO-252AATO-252AA (DPAK)TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
382,821
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27816
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
IRFL9014TRPBF
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Vishay Siliconix
70,952
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.05128
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 1.1A，10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO252-3
IRFR5410TRPBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Infineon Technologies
18,004
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.78063
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Tc）
10V
205 毫欧 @ 7.8A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
12,515
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
800 : ¥6.64290
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
2,346
现货
1 : ¥15.68000
剪切带（CT）
800 : ¥8.76123
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 14A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IRF9640STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
3,811
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
800 : ¥10.59991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF5210STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Infineon Technologies
5,928
现货
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
800 : ¥14.51013
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
38A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
2780 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PG-TDSON-8-1
BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Infineon Technologies
10,805
现货
1 : ¥24.38000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.56316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.8A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 100A，10V
2.4V @ 110µA
104 nC @ 10 V
±20V
7400 pF @ 50 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Vishay Siliconix
9,554
现货
1 : ¥35.63000
剪切带（CT）
800 : ¥21.49145
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
326 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 50 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-252
SQD40N10-25_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Vishay Siliconix
3,414
现货
1 : ¥50.24000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.47874
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
3380 pF @ 25 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
25P06
G12P10KE
P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
Goford Semiconductor
278
现货
1 : ¥5.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.73485
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Tc）
4.5V，10V
200 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1720 pF @ 50 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263
FQB22P10TM
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
800 : ¥8.83788
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
22A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FQB34P10TM
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥23.15000
剪切带（CT）
800 : ¥13.99858
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33.5A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 16.75A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
2910 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），155W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。