单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A（Tc）7.7A（Ta）10A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 9A，10V25 毫欧 @ 5A，10V137 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.3 nC @ 5 V8.7 nC @ 5 V53.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
320 pF @ 25 V798 pF @ 10 V2569 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.71W（Ta）8W（Tc）
供应商器件封装
POWERDI3333-8SOT-223TO-252-3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223
BUK98150-55A/CUF
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
108,747
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.37782
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
5.5A（Tc）
4.5V，10V
137 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 1mA
5.3 nC @ 5 V
±15V
320 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-252-2
DMG4800LK3-13
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Diodes Incorporated
2,706
现货
7,500
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.60578
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 9A，10V
1.6V @ 250µA
8.7 nC @ 5 V
±25V
798 pF @ 10 V
-
1.71W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerDI3333-8
DMP6023LFG-7
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
9,315
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.85341
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。