单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsWolfspeed, Inc.
系列
-AlphaMOSC3M™OptiMOS™ 6PowerMESH™SIPMOS®STripFET™ IIZ-FET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V240 V900 V1200 V1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110mA（Ta）2.4A（Tc）2.5A（Tc）7.7A（Ta）， 31A（Tc）11A（Tc）12A（Tc）25A（Ta），28A（Tc）30A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V10V15V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.1 毫欧 @ 20A，10V23 毫欧 @ 10A，10V34 毫欧 @ 50A，20V90 毫欧 @ 20A，15V260 毫欧 @ 1.2A，10V360 毫欧 @ 7.5A，15V690 毫欧 @ 6A，20V9 欧姆 @ 1.3A，10V14 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 56µA2.2V @ 250µA2.4V @ 10mA3.3V @ 13µA3.5V @ 1.2mA3.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 5mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V9.5 nC @ 15 V14 nC @ 10 V22 nC @ 20 V25 nC @ 10 V29.3 nC @ 10 V51 nC @ 15 V161 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+18V，-8V+19V，-8V±20V+25V，-10V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
77 pF @ 25 V150 pF @ 600 V280 pF @ 25 V290 pF @ 400 V690 pF @ 50 V939 pF @ 25 V1128 pF @ 15 V1350 pF @ 1000 V2788 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）3W（Ta）， 48W（Tc）3.3W（Tc）5W（Ta），24W（Tc）50W（Tc）113.6W（Tc）140W（Tc）150W（Tc）463W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 200°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN（5x6）D2PAK-7H2PAKHiP247™PG-SOT23PG-TDSON-8 FLSOT-223TO-247-3TO-263-7
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON6558
MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
57,297
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.39419
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta），28A（Tc）
4.5V，10V
5.1 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1128 pF @ 15 V
-
5W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
SOT223-3L
STN2NF10
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
STMicroelectronics
6,772
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.46664
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2.4A（Tc）
10V
260 毫欧 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
STH3N150-2
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
STMicroelectronics
371
现货
1 : ¥44.91000
剪切带（CT）
1,000 : ¥23.20134
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
2.5A（Tc）
10V
9 欧姆 @ 1.3A，10V
5V @ 250µA
29.3 nC @ 10 V
±30V
939 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
H2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
C3M0065090J
C3M0075120J
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
5,506
现货
1 : ¥161.56000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
30A（Tc）
15V
90 毫欧 @ 20A，15V
4V @ 5mA
51 nC @ 15 V
+19V，-8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
C2D10120D
C2M0025120D
SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
809
现货
1 : ¥807.31000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
90A（Tc）
20V
34 毫欧 @ 50A，20V
2.4V @ 10mA
161 nC @ 20 V
+25V，-10V
2788 pF @ 1000 V
-
463W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
10,532
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68272
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
110mA（Ta）
4.5V，10V
14 欧姆 @ 100mA，10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
10,000
现货
5,000 : ¥3.66373
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.7A（Ta）， 31A（Tc）
8V，10V
23 毫欧 @ 10A，10V
3.3V @ 13µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
690 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
C3M0065090J
C3M0280090J
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
1,207
现货
1 : ¥64.94000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
900 V
11A（Tc）
15V
360 毫欧 @ 7.5A，15V
3.5V @ 1.2mA
9.5 nC @ 15 V
+18V，-8V
150 pF @ 600 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TO-247-3 HiP
SCT10N120
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
STMicroelectronics
74
现货
1 : ¥63.13000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
12A（Tc）
20V
690 毫欧 @ 6A，20V
3.5V @ 250µA
22 nC @ 20 V
+25V，-10V
290 pF @ 400 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
通孔
HiP247™
TO-247-3
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。