单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
660mA(Ta)3.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
115 毫欧 @ 2.4A,4.5V1.8 欧姆 @ 660mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 400µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5 nC @ 4.5 V14 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330 pF @ 10 V430 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)2W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SOT223-4SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-4
BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Infineon Technologies
27,863
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
1,000 : ¥4.48321
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
660mA(Ta)
0V,10V
1.8 欧姆 @ 660mA,10V
1V @ 400µA
14 nC @ 5 V
±20V
430 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
SQ2351ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
11,120
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59844
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Tc)
2.5V,4.5V
115 毫欧 @ 2.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
330 pF @ 10 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。