单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA(Ta)5.9A(Ta),8.3A(Tc)9A(Ta),43A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14 毫欧 @ 9A,10V29.2 毫欧 @ 5.9A,10V400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.74 nC @ 4.5 V22 nC @ 10 V29 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
60.67 pF @ 16 V1290 pF @ 50 V1330 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
280mW(Ta)2.3W(Ta),54W(Tc)2.5W(Ta),5W(Tc)2.8W(Ta),65W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOICPower33SOT-523
封装/外壳
8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-523
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
372,197
现货
1 : ¥2.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43427
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
630mA(Ta)
1.8V,4.5V
400 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
Power33
FDMC86160
MOSFET N CH 100V 9A POWER33
onsemi
4,263
现货
1 : ¥19.62000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.85739
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
9A(Ta),43A(Tc)
6V,10V
14 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W(Ta),54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
Power33
FDMC86160ET100
MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
onsemi
9,647
现货
3,000
工厂
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.39773
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
9A(Ta),43A(Tc)
6V,10V
14 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.8W(Ta),65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
8-SOIC
SI4056ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
1,119
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.63481
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.9A(Ta),8.3A(Tc)
-
29.2 毫欧 @ 5.9A,10V
2.5V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。