单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.7 毫欧 @ 20A，10V300 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 10 V1975 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）5.4W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23F
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
252,797
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V，-20V
330 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
PowerPAK SO-8
SIR882ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.93295
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 20A，10V
2.8V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1975 pF @ 50 V
-
5.4W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。