单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.8 毫欧 @ 20A，10V98 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V49 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
510 pF @ 25 V1630 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）5W（Ta），62.5W（Tc）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML5203TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
75,599
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02901
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3A（Ta）
4.5V，10V
98 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.95492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
10.8 毫欧 @ 20A，10V
2.8V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
1630 pF @ 50 V
-
5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。