单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）27A（Ta），141A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 27A，10V82 毫欧 @ 3A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
470 pF @ 20 V5300 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）2.8W（Ta），75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
Power33SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Power33
FDMC8360LET40
MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
onsemi
27,040
现货
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.28374
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），141A（Tc）
4.5V，10V
2.1 毫欧 @ 27A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 20 V
-
2.8W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
SOT-23(TO-236)
SI2319DS-T1-BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
7,588
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.12321
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
82 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 20 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。