单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-CoolMOS™ CFD7HEXFET®NexFET™OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V40 V60 V80 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）3.4A（Ta）4.3A（Ta）5A（Ta）5.5A（Ta）8.8A（Ta），19A（Tc）18.5A（Tc）40A（Tc）60A（Tc）101A（Tc）160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 25A，10V7.5 毫欧 @ 20A，10V9.9 毫欧 @ 12A，10V16 毫欧 @ 8.5A，10V17 毫欧 @ 11A，10V18 毫欧 @ 58.2A，10V32.5 毫欧 @ 5A，4.5V37 毫欧 @ 5.5A，4.5V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V112 毫欧 @ 3.4A，10V4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1.1V @ 250µA2.3V @ 10µA2.35V @ 25µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA3.6V @ 1mA3.8V @ 36µA4.5V @ 2.91mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.72 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V8.7 nC @ 10 V14.5 nC @ 10 V15 nC @ 5 V23 nC @ 4.5 V29.5 nC @ 10 V37 nC @ 10 V45 nC @ 4.5 V62 nC @ 10 V251 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
46 pF @ 15 V600 pF @ 25 V660 pF @ 25 V830 pF @ 10 V1110 pF @ 25 V1150 pF @ 30 V1575 pF @ 10 V2080 pF @ 40 V2970 pF @ 10 V4507 pF @ 20 V9901 pF @ 400 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）1.3W（Ta）1.7W（Ta），12.5W（Tc）2W（Ta）2.1W（Ta）11.5W（Tc）66W（Tc）69W（Tc）147W（Tc）416W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）8-VSONP（3x3.3）DFN2020MD-6LFPAK56，Power-SO8Micro3™/SOT-23Micro6™（TSOP-6）PG-TO247-3PG-TSDSON-8-26SOT-323
封装/外壳
6-PowerVDFN6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-100，SOT-669SC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
50,193
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-PowerVDFN
IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Infineon Technologies
70,608
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.37343
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta），19A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 8.5A，10V
2.35V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Infineon Technologies
43,099
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47248
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.4A（Ta）
4.5V，10V
112 毫欧 @ 3.4A，10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro6™（TSOP-6）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8-Power TDFN
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Texas Instruments
39,686
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82881
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
6-PowerVDFN
IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Infineon Technologies
42,346
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.94792
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18.5A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 11A，10V
2.3V @ 10µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
11.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
8-PowerTDFN
BSZ075N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
60,656
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.26835
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Tc）
6V，10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 36µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 40 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-26
8-PowerTDFN
SOT-323
NX3008PBKW,115
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323
Nexperia USA Inc.
85,937
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33877
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
200mA（Ta）
2.5V，4.5V
4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.72 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 15 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
6-DFN2020MD_View 2
PMPB33XP,115
MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
11,111
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05780
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.5A（Ta）
1.8V，4.5V
37 毫欧 @ 5.5A，4.5V
900mV @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±12V
1575 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB29XPE,115
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
14,231
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5A（Ta）
1.8V，4.5V
32.5 毫欧 @ 5A，4.5V
900mV @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±12V
2970 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN2R8-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7,384
现货
1 : ¥12.72000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.59122
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
160A（Tc）
10V
2.8 毫欧 @ 25A，10V
3.6V @ 1mA
62 nC @ 10 V
±20V
4507 pF @ 20 V
肖特基二极管（体）
147W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
46
现货
1 : ¥161.31000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
101A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 58.2A，10V
4.5V @ 2.91mA
251 nC @ 10 V
±20V
9901 pF @ 400 V
-
416W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。