单 FET,MOSFET

结果 : 20
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V50 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
185mA(Ta)200mA(Ta)310mA(Ta)500mA(Ta)2.3A(Tc)2.4A(Ta)3.1A(Ta),4.4A(Tc)3.1A(Tc)3.16A(Ta)3.3A(Ta),3.6A(Tc)4.2A(Ta)4.6A(Tc)5.6A(Tc)6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.5V,4V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.1 毫欧 @ 22A,10V15 毫欧 @ 10.2A,10V16.1 毫欧 @ 7A,10V31.8 毫欧 @ 5A,4.5V42 毫欧 @ 4.3A,10V45 毫欧 @ 4.2A,4.5V47 毫欧 @ 3.5A,10V60 毫欧 @ 3.2A,10V75 毫欧 @ 3A,10V77 毫欧 @ 3.1A,10V80 毫欧 @ 4.2A,10V105 毫欧 @ 4.5A,10V112 毫欧 @ 2.8A,4.5V156 毫欧 @ 1.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.15 nC @ 5 V1.7 nC @ 15 V4.5 nC @ 5 V6.7 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V9 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V12.2 nC @ 10 V16 nC @ 10 V17.2 nC @ 10 V18 nC @ 5 V19 nC @ 10 V21 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
21 pF @ 5 V23 pF @ 25 V50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V190 pF @ 30 V235 pF @ 15 V305 pF @ 15 V340 pF @ 20 V350 pF @ 25 V405 pF @ 10 V587 pF @ 20 V595 pF @ 20 V620 pF @ 20 V740 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)350mW(Ta)690mW(Ta)720mW(Ta)750mW(Ta)860mW(Ta),1.6W(Tc)1W(Tc)1.09W(Ta),1.66W(Tc)1.1W(Ta),1.7W(Tc)1.2W(Ta)1.25W(Ta)1.25W(Ta),2.1W(Tc)1.25W(Ta),2.5W(Tc)2.5W(Ta),6.3W(Tc)
供应商器件封装
8-SOICMicro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-323TO-252AATO-252AA (DPAK)TSMT3TSOT-23-6
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-70,SOT-323SC-96SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
20结果

显示
/ 20
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
14,873
现货
3,219,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28953
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
174,435
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.42057
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
500mA(Ta)
2.5V,4V
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
174,418
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V,4.5V
112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta),1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
48,633
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90840
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.3A(Ta),3.6A(Tc)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3.2A,10V
2.2V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
117,281
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16192
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tc)
1.8V,4.5V
31.8 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta),2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
84,489
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97328
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
5.6A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 4.3A,10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta),2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
881,758
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04982
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
185mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
100,923
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10822
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
47,715
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46768
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.3A(Tc)
4.5V,10V
156 毫欧 @ 1.9A,10V
3V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 30 V
-
1.09W(Ta),1.66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AP6320x
DMP6110SVT-7
MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Diodes Incorporated
65,522
现货
1,194,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66948
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7.3A(Tc)
4.5V,10V
105 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 30 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
SQ2319ADS-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
13,442
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.05835
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.6A(Tc)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 20 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Vishay Siliconix
17,740
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.59954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
16.1A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 10.2A,10V
2.5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3007 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),6.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252
SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
8,581
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.88960
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
8.1 毫欧 @ 22A,10V
2.5V @ 250µA
159 nC @ 10 V
±20V
5380 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),73.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
DMP4065S-7
MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
Diodes Incorporated
23,199
现货
501,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79556
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2.4A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 4.2A,10V
3V @ 250µA
12.2 nC @ 10 V
±20V
587 pF @ 20 V
-
720mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC70, SOT−323, 419−04
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
56,551
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66588
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
SI2319CDS-T1-BE3
MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Vishay Siliconix
6,000
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52884
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.1A(Ta),4.4A(Tc)
4.5V,10V
77 毫欧 @ 3.1A,10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2306BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Vishay Siliconix
13,905
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65114
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.16A(Ta)
4.5V,10V
47 毫欧 @ 3.5A,10V
3V @ 250µA
4.5 nC @ 5 V
±20V
305 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2319ADS-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
10,942
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.05835
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.6A(Tc)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 20 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO252-3
IRFR9024NTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
26,558
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.99036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
11A(Tc)
10V
175 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSMT3
RQ5E070BNTCL
MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,674
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.96011
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Tc)
10V
16.1 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
23 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 15 V
-
1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
显示
/ 20

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。