单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
MDmesh™ M2OptiMOS™SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA(Ta)20A(Tc)90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.3 毫欧 @ 90A,10V180 毫欧 @ 10A,10V8 欧姆 @ 150mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 20µA2.2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 10 V35 nC @ 10 V176 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
19.1 pF @ 25 V1440 pF @ 100 V11570 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)125W(Tc)170W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-SOT323PG-TO252-3-313TO-247-3
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS84PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Infineon Technologies
31,238
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
150mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 150mA,10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19.1 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
TO-247-3 HiP
STW28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
STMicroelectronics
560
现货
1 : ¥33.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±25V
1440 pF @ 100 V
-
170W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO252-3
IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
2,500 : ¥9.38398
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
±16V
11570 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。