单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）3.8A（Tc）60A（Tc）200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 25A，10V2.4 毫欧 @ 100A，10V1.05 欧姆 @ 1A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.6V @ 250µA3.2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V25 nC @ 10 V153 nC @ 10 V625 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V666 pF @ 50 V12000 pF @ 50 V22000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
15,979
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DDPAK/TO-263-3
CSD19536KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
1,605
现货
1 : ¥36.45000
剪切带（CT）
500 : ¥22.00876
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Ta）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
PowerPAK 1212-8
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
41,244
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28218
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.8A（Tc）
6V，10V
1.05 欧姆 @ 1A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
666 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,348
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.04774
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.6 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
625 nC @ 10 V
±12V
22000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。