单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）24A（Ta），40A（Tc）40A（Tc）48A（Ta），381A（Tc）100A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.7 毫欧 @ 50A，10V2.4 毫欧 @ 20A，10V2.5 毫欧 @ 50A，10V3.95 毫欧 @ 25A，10V7.5 毫欧 @ 20A，10V2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.3V @ 115µA2.3V @ 250µA3.8V @ 36µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.45 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V29.5 nC @ 10 V55 nC @ 4.5 V118 nC @ 10 V246 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 25 V1800 pF @ 20 V2080 pF @ 40 V7500 pF @ 40 V8400 pF @ 20 V16370 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
470mW（Ta）2.5W（Ta），156W（Tc）2.5W（Ta），75W（Tc）3W（Ta），188W（Tc）69W（Tc）405W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKPG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8-26PG-TSDSON-8-FLX1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSZ075N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
60,656
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.26835
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Tc）
6V，10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 36µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 40 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-26
8-PowerTDFN
1,416
现货
1 : ¥29.88000
剪切带（CT）
4,000 : ¥14.54543
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
48A（Ta），381A（Tc）
4.5V，10V
0.7 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
118 nC @ 10 V
±20V
8400 pF @ 20 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN3R7-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
16,093
现货
1 : ¥38.83000
剪切带（CT）
800 : ¥23.46355
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
3.95 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
246 nC @ 10 V
±20V
16370 pF @ 50 V
-
405W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
X2-DFN1006-3
DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Diodes Incorporated
248,192
现货
363,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100mA（Ta）
1.5V，4V
2 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
0.45 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 25 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
TSDSON-8
BSZ024N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Infineon Technologies
89,244
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.62032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC025N08LS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Infineon Technologies
7,615
现货
1 : ¥29.88000
剪切带（CT）
5,000 : ¥13.59929
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.5 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 115µA
55 nC @ 4.5 V
±20V
7500 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。