单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Panjit International Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A（Ta），25A（Tc）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.7 毫欧 @ 15A，4.5V34 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V60 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1173 pF @ 25 V4800 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta），40W（Tc）20W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）TO-252
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PJD25N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
1,209
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.56298
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.5A（Ta），25A（Tc）
4.5V，10V
34 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1173 pF @ 25 V
-
2W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-HSMT
RQ3C150BCTB
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Rohm Semiconductor
6,448
现货
1 : ¥9.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.89334
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
30A（Tc）
4.5V
6.7 毫欧 @ 15A，4.5V
1.2V @ 1mA
60 nC @ 4.5 V
±8V
4800 pF @ 10 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。