单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Ta），40A（Tc）10.6A（Ta），71A（Tc）11A（Ta），55A（Tc）12A（Ta），50A（Tc）12.4A（Ta），60A（Tc）13.8A（Ta），100A（Tc）15A（Ta），50A（Tc）16.1A（Ta），65.8（Tc）50A（Tc）80A（Tc）88A（Tc）90A（Tc）120A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.7 毫欧 @ 25A，10V0.75 毫欧 @ 150A，10V1.9 毫欧 @ 100A，10V6.7 毫欧 @ 50A，10V7 毫欧 @ 40A，10V7 毫欧 @ 50A，10V8 毫欧 @ 13A，10V8 毫欧 @ 15A，10V8.2 毫欧 @ 100A，10V10 毫欧 @ 50A，10V10.7 毫欧 @ 88A，10V11 毫欧 @ 50A，10V12.3 毫欧 @ 33A，10V12.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 196µA2.2V @ 23µA2.2V @ 35µA2.4V @ 110µA2.4V @ 72µA3.3V @ 280µA3.5V @ 33µA3.5V @ 75µA3.6V @ 1mA3.8V @ 50µA4V @ 23µA4V @ 250µA4V @ 270µA4V @ 43µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V25 nC @ 10 V33 nC @ 10 V38 nC @ 10 V45 nC @ 10 V52 nC @ 10 V55 nC @ 10 V67 nC @ 10 V68 nC @ 10 V87 nC @ 10 V104 nC @ 10 V166 nC @ 4.5 V202 nC @ 10 V287 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 50 V1870 pF @ 40 V2440 pF @ 50 V2700 pF @ 30 V2700 pF @ 50 V3000 pF @ 50 V3500 pF @ 30 V4000 pF @ 50 V4900 pF @ 50 V5100 pF @ 30 V7100 pF @ 100 V7400 pF @ 50 V15719 pF @ 25 V16000 pF @ 30 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），104W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）2.5W（Ta），66W（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）5W（Ta），83.3W（Tc）78W（Tc）114W（Tc）156W（Tc）250W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）LFPAK88（SOT1235）PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-7PG-TO263-3PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8SOT-1235TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
显示
/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Infineon Technologies
8,207
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.27246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Infineon Technologies
12,408
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.76290
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC252N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Infineon Technologies
14,752
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.08842
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.2A（Ta），40A（Tc）
10V
25.2 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 43µA
17 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 50 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Infineon Technologies
12,225
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.87744
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
11A（Ta），55A（Tc）
6V，10V
12.3 毫欧 @ 33A，10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Infineon Technologies
8,656
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.04451
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC070N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Infineon Technologies
29,073
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.04944
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 50 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Infineon Technologies
38,098
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.44424
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 40A，10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86101
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
onsemi
10,423
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.01156
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12.4A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
8 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Infineon Technologies
10,805
现货
1 : ¥24.38000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.56316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.8A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 100A，10V
2.4V @ 110µA
104 nC @ 10 V
±20V
7400 pF @ 50 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PSMN1R9-80SSEJ
PSMNR70-40SSHJ
MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Nexperia USA Inc.
2,955
现货
1 : ¥45.89000
剪切带（CT）
2,000 : ¥22.32138
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
425A（Tc）
10V
0.7 毫欧 @ 25A，10V
3.6V @ 1mA
202 nC @ 10 V
±20V
15719 pF @ 25 V
肖特基二极管（体）
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK88（SOT1235）
SOT-1235
IPT059N15N3ATMA1
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
8,867
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.22168
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300A（Tc）
6V，10V
0.75 毫欧 @ 150A，10V
3.3V @ 280µA
287 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 30 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Infineon Technologies
7,748
现货
1 : ¥64.53000
剪切带（CT）
1,000 : ¥36.61714
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
88A（Tc）
10V
10.7 毫欧 @ 88A，10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PG-TDSON-8-1
BSC123N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Infineon Technologies
17,097
现货
1 : ¥15.93000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.92713
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10.6A（Ta），71A（Tc）
4.5V，10V
12.3 毫欧 @ 50A，10V
2.4V @ 72µA
68 nC @ 10 V
±20V
4900 pF @ 50 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR106ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Vishay Siliconix
10,523
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.59650
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
16.1A（Ta），65.8（Tc）
7.5V，10V
8 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
2440 pF @ 50 V
-
5W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB019N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Infineon Technologies
7,726
现货
1 : ¥29.72000
剪切带（CT）
1,000 : ¥15.36338
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
120A（Tc）
4.5V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
2.2V @ 196µA
166 nC @ 4.5 V
±20V
28000 pF @ 30 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。