单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）4.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
77 毫欧 @ 3.1A，10V80 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 15 V595 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）1.4W（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3424
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
43,886
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
2.5V，10V
80 毫欧 @ 2A，10V
1.8V @ 250µA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
18,463
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52874
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.4A（Tc）
4.5V，10V
77 毫欧 @ 3.1A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。