单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
-SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Ta），24.7A（Tc）10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.8 毫欧 @ 8.1A，10V750 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36.9 nC @ 10 V70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 15 V1370 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），16W（Tc）115W（Tc）
供应商器件封装
D2PAKMLPAK33
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power VDFN
PXP015-30QLJ
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Nexperia USA Inc.
6,991
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.54708
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Ta），24.7A（Tc）
4.5V，10V
15.8 毫欧 @ 8.1A，10V
2V @ 250µA
36.9 nC @ 10 V
±25V
1200 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），16W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
D²PAK
STB10NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
STMicroelectronics
2,684
现货
1 : ¥29.23000
剪切带（CT）
1,000 : ¥15.08853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
10A（Tc）
10V
750 毫欧 @ 4.5A，10V
4.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 25 V
-
115W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。