单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial Coonsemi
系列
-HEXFET®SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）680mA（Ta）3.8A（Ta）5A（Ta）21A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 21A，10V45 毫欧 @ 5A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V1.8 欧姆 @ 680mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA2V @ 170µA2.1V @ 250µA2.4V @ 100µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 10 V6.4 nC @ 10 V58 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V146 pF @ 25 V330 pF @ 20 V563 pF @ 25 V5250 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）1.08W（Ta）1.2W1.8W（Ta）3.1W（Ta）
供应商器件封装
PG-SOT223-4PQFN（5x6）SOT-23SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
335,096
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
71,170
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-4
BSP316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Infineon Technologies
32,251
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.90003
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
680mA（Ta）
4.5V，10V
1.8 欧姆 @ 680mA，10V
2V @ 170µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
146 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
IRFH9310TRPBF
IRFH9310TRPBF
MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Infineon Technologies
6,854
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.32957
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 21A，10V
2.4V @ 100µA
58 nC @ 4.5 V
±20V
5250 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PQFN（5x6）
8-PowerVDFN
2,898
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53747
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
5A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 5A，10V
1.8V @ 250µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 20 V
-
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。