单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta），6A（Tc）7.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18.4 毫欧 @ 7.3A，4.5V250 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.5 nC @ 4.5 V17.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
500 pF @ 15 V1239 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta），18W（Tc）2W（Ta），13.7W（Tc）
供应商器件封装
DFN2020M-6SOT-223-3
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
DMP10H400SEQ-13
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Diodes Incorporated
4,111
现货
662,500
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.17181
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2.3A（Ta），6A（Tc）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1239 pF @ 25 V
-
2W（Ta），13.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
6-DFN2020MD_View 2
PMPB14R8XNX
SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Nexperia USA Inc.
1,290
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11602
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.3A（Ta）
1.8V，4.5V
18.4 毫欧 @ 7.3A，4.5V
900mV @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±12V
500 pF @ 15 V
-
1.5W（Ta），18W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。