单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）1.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
240 毫欧 @ 1.3A，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 10 V6 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.5 pF @ 25 V450 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）480mW（Ta），6.25W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123L
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
121,689
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41963
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
2.5 nC @ 10 V
±20V
21.5 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV250EPEAR
MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
34,550
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70113
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
240 毫欧 @ 1.3A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 20 V
-
480mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。