单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）1A（Ta）21A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.8 毫欧 @ 20A，10V520 毫欧 @ 1A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 5 V70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V140 pF @ 25 V2830 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）700mW（Ta）5W（Ta），30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）SOT-323TSMT3
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70，SOT-323SC-96
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
370,989
现货
4,161,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59042
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-DFN
AONR21357
MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
7,995
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.99244
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
7.8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
5W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
TSMT3
RSR010N10HZGTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Rohm Semiconductor
5,939
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.13856
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
4V，10V
520 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 1mA
3.5 nC @ 5 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT3
SC-96
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。