单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
ETrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
440mA（Tc）5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
950 毫欧 @ 2A，10V1.41Ohm @ 2A，1.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 4.5 V22.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 25 V422 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
430mW（Tc）30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SC-70-6TO-220 整包
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-6
SQ1464EEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Vishay Siliconix
27,225
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07053
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
440mA（Tc）
1.5V
1.41Ohm @ 2A，1.5V
1V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±8V
140 pF @ 25 V
-
430mW（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
LM7812TP
SIHA6N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Vishay Siliconix
836
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
1 : ¥9.11000
管件
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
5A（Tc）
10V
950 毫欧 @ 2A，10V
4V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±30V
422 pF @ 100 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。