单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®µCool™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）1.3A（Ta）3.5A（Ta）3.6A（Ta）4.3A（Ta）5.8A（Ta）6.6A（Ta）7A（Ta），18A（Tc）7.5A（Ta）9A（Ta）19A（Tc）20A（Tc）32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 25A，10V4.6 毫欧 @ 20A，10V12 毫欧 @ 11.4A，10V14 毫欧 @ 9A，4.5V17 毫欧 @ 7.1A，10V23 毫欧 @ 7.5A，10V23 毫欧 @ 7A，10V25 毫欧 @ 7A，10V30 毫欧 @ 5.8A，4.5V35 毫欧 @ 2A，4.5V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V74 毫欧 @ 19A，10V180 毫欧 @ 1.3A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 100µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.9 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V15 nC @ 5 V17 nC @ 10 V22 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V34 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V44 nC @ 10 V55 nC @ 10 V165 nC @ 10 V177 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V150 pF @ 15 V560 pF @ 24 V650 pF @ 15 V830 pF @ 10 V1000 pF @ 25 V1235 pF @ 30 V1330 pF @ 10 V1330 pF @ 50 V2086 pF @ 30 V2175 pF @ 10 V3100 pF @ 24 V5250 pF @ 15 V8352 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）500mW（Ta）700mW（Ta）840mW（Ta）1.3W（Ta）1.4W1.6W（Ta）1.7W（Ta），12.5W（Tc）2.3W（Ta），41W（Tc）2.4W（Ta）2.5W（Ta）45W（Tc）71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）6-TSOP6-WDFN（2x2）8-MLP（3.3x3.3）8-SO8-SOICDFN2020MD-6DPAKMicro3™/SOT-23PowerDI5060-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SuperSOT™-6
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
61,237
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.38339
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
51,450
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN352AP
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
77,705
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.21320
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.3A（Ta）
4.5V，10V
180 毫欧 @ 1.3A，10V
2.5V @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
±25V
150 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
71,470
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SG6858TZ
FDC608PZ
MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
onsemi
18,047
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.67304
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.8A（Ta）
2.5V，4.5V
30 毫欧 @ 5.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±12V
1330 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8 SOIC
NTMS4177PR2G
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
onsemi
4,121
现货
1 : ¥8.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.50740
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.6A（Ta）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 11.4A，10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 24 V
-
840mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF9310TRPBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Infineon Technologies
15,653
现货
1 : ¥13.13000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.44727
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Tc）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 100µA
165 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
6-WDFN
NTLJS4114NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
onsemi
5,659
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.92193
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WDFN（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
PowerPak SO-8L
SQJ464EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,695
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28669
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
32A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 7.1A，10V
2.5V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2086 pF @ 30 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
6-WDFN
FDMA86551L
MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
onsemi
40,401
现货
1 : ¥9.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.90803
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.5A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 7.5A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 30 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6416ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
onsemi
7,239
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.35282
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19A（Tc）
4.5V，10V
74 毫欧 @ 19A，10V
2.2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMPH4015SPSQ-13
DMP2003UPS-13
MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
12,396
现货
1 : ¥10.59000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.38340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
150A（Tc）
2.5V，10V
2.2 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
177 nC @ 10 V
±12V
8352 pF @ 10 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
8-MLP, Power33
FDMC86102L
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
4,627
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.20505
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
NTGS4141NT1G
NTGS4141NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
onsemi
859
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.28536
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
560 pF @ 24 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
6-DFN2020MD_View 2
PMPB10XNE,115
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,008
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10068
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
9A（Ta）
1.8V，4.5V
14 毫欧 @ 9A，4.5V
900mV @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±12V
2175 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-TSOP
NVGS4141NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
onsemi
1,841
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.96300
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
560 pF @ 24 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。