单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Microchip Technology
系列
-CoolMOS™HiPerFET™, Ultra X2
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
46A（Tc）47A（Tc）77A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 30A，20V70 毫欧 @ 30A，10V76 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 2mA（典型值）3.9V @ 2.7mA5.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
75 nC @ 10 V99 nC @ 20 V320 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+23V，-10V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2010 pF @ 700 V4810 pF @ 25 V6800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
283W（Tc）415W（Tc）660W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO247-3-1TO-247-4TO-247（IXTH）
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO247-3
SPW47N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3
Infineon Technologies
2,283
现货
1 : ¥125.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
47A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 30A，10V
3.9V @ 2.7mA
320 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
415W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-247-4
MSC035SMA070B4
TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
Microchip Technology
160
现货
1 : ¥127.34000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
77A（Tc）
20V
44 毫欧 @ 30A，20V
2.7V @ 2mA（典型值）
99 nC @ 20 V
+23V，-10V
2010 pF @ 700 V
-
283W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247_IXFH
IXFH46N65X2
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Littelfuse Inc.
310
现货
1 : ¥59.93000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
46A（Tc）
10V
76 毫欧 @ 23A，10V
5.5V @ 4mA
75 nC @ 10 V
±30V
4810 pF @ 25 V
-
660W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。