单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）600mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
900 毫欧 @ 430mA，4.5V10 欧姆 @ 130mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V175 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
250mW（Tc）550mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
208,262
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43247
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 130mA，10V
2V @ 1mA
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
953,105
现货
297,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32205
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。