单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21毫欧 @ 6A，10V49 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.8 nC @ 10 V13 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
435 pF @ 15 V450 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
510mW（Ta），6.94W（Tc）710mW（Ta），8.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV37ENEAR
MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
30,425
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97133
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
49 毫欧 @ 3.5A，10V
2.7V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 30 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
173,918
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85177
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
21毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），6.94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。