单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-STripFET™ F7TrenchFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）1.7A（Tc）6A（Ta）107A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 53A，10V28 毫欧 @ 5A，10V220 毫欧 @ 1.6A，10V336 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.4 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V72.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
265 pF @ 25 V401 pF @ 25 V436 pF @ 15 V5600 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.3W（Ta）2W（Tc）136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
PowerFlat™（5x6）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-23F
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
125,629
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16435
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
401 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerFlat WF
STL115N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
STMicroelectronics
12,324
现货
1 : ¥22.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.76082
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
107A（Tc）
10V
6 毫欧 @ 53A，10V
4.5V @ 250µA
72.5 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 50 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
55,128
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76330
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
436 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
SQ2309ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Vishay Siliconix
22
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Tc）
4.5V，10V
336 毫欧 @ 3.8A，10V
2.5V @ 250µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
265 pF @ 25 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。