单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiPanjit International Inc.STMicroelectronics
系列
-STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）5.5A（Ta），25A（Tc）55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V5V，10V10V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 27.5A，10V34 毫欧 @ 15A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.5V @ 250µA4.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V37 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1173 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）2W（Ta），40W（Tc）95W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKSOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
140,058
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
124,807
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PJD25N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
1,209
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.56298
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.5A（Ta），25A（Tc）
4.5V，10V
34 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1173 pF @ 25 V
-
2W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
D²PAK
STB55NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
STMicroelectronics
1,257
现货
1 : ¥14.69000
剪切带（CT）
1,000 : ¥6.96949
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
55A（Tc）
10V，5V
18 毫欧 @ 27.5A，10V
4.7V @ 250µA
37 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
95W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。