单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-CoolMOS™ C7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA（Ta）33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 17.1A，10V90 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA4.5V @ 200µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 5 V3020 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）171W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO263-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO263-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Infineon Technologies
4,932
现货
1 : ¥46.55000
剪切带（CT）
1,000 : ¥34.40948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
33A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 17.1A，10V
4.5V @ 200µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 400 V
-
171W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT 23-3
MGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
onsemi
32
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15618
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
750mA（Ta）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 1.2A，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
125 pF @ 5 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。