单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesIXYSVishay Siliconix
系列
-HEXFET®HiPerFET™, Polar
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
200 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Tc）5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 2.9A，10V1.5 欧姆 @ 2.2A，10V2.8 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V23 nC @ 10 V33.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 25 V340 pF @ 25 V1830 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），42W（Tc）43W（Tc）250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
IPAK（TO-251AA）TO-220-3TO-251AA
封装/外壳
TO-220-3TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IPAK (TO-251)
IRFU220NPBF
MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Infineon Technologies
1,827
现货
1 : ¥8.46000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 2.9A，10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK（TO-251AA）
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
TO-220-3
IXFP5N100P
MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB
IXYS
40
现货
900
工厂
1 : ¥44.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
5A（Tc）
10V
2.8 欧姆 @ 500mA，10V
6V @ 250µA
33.4 nC @ 10 V
±30V
1830 pF @ 25 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-251AA
IRFU9220PBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥18.06000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.6A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。