单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta），24A（Tc）25A（Tc）40A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 50A，10V11.7mOhm @ 11A，4.5V63 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.35V @ 150µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.5 nC @ 4.5 V60 nC @ 5 V120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 15 V7200 pF @ 15 V8000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta）3.6W（Ta），250W（Tc）50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）8-PQFN（5x6）LPTS
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8PQFN
IRFH5300TRPBF
MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
Infineon Technologies
5,212
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.03644
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.4 毫欧 @ 50A，10V
2.35V @ 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 15 V
-
3.6W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerVDFN
LPTS
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Rohm Semiconductor
2,680
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
1,000 : ¥7.04608
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
4V，10V
63 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
60 nC @ 5 V
±20V
8000 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-HSMT
RQ3E110AJTB
MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Rohm Semiconductor
13,868
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.29216
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），24A（Tc）
2.5V，4.5V
11.7mOhm @ 11A，4.5V
1.5V @ 1mA
13.5 nC @ 4.5 V
±12V
1500 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。