单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
U-MOSIIIU-MOSVIπ-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）650mA（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V3V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V1.8 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 1mA2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.34 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 5 V12.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36 pF @ 10 V60 pF @ 12 V840 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1W（Ta）
工作温度
150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23FVESM
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
760,846
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69123
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
187,257
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.20313
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
250mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VESM
SOT-723
44,022
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81839
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
650mA（Ta）
3V，5V
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
1.5 nC @ 5 V
±12V
60 pF @ 12 V
-
1W（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。