单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™U-MOSVIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）400mA（Ta）1.8A（Ta）2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 1.8A，4.5V150 毫欧 @ 1A，4.5V1.5 欧姆 @ 100mA，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V40 pF @ 10 V270 pF @ 10 V330 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
265mW（Ta），1.33W（Tc）320mW（Ta）340mW（Ta），2.1W（Tc）600mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
S-MiniSOT-23-3TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
506,476
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27177
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
310,165
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
NXV75UPR
NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
21,752
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52338
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 1.8A，4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 10 V
-
340mW（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
9,074
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56046
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
1.5V，4.5V
150 毫欧 @ 1A，4.5V
-
4.6 nC @ 4.5 V
±8V
270 pF @ 10 V
-
600mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
S-Mini
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。