单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
820mA(Ta)5.8A(Ta)13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 7A,10V90 毫欧 @ 10A,10V750 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.4V @ 250µA4V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.622 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V19.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
59.76 pF @ 16 V510 pF @ 75 V931 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
310mW(Ta)1.2W(Ta)38W(Tc)
供应商器件封装
8-SOPG-TSDSON-8SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
248,200
现货
2,115,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48195
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
8-Power TDFN
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Infineon Technologies
13,182
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.46706
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
13A(Tc)
8V,10V
90 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 20µA
7 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 75 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8 SO
DMP3037LSS-13
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Diodes Incorporated
6,756
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.16436
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±20V
931 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。